Кремниево-германиевый чип устанавливает новый рекорд скорости ― Электронные компоненты и радиодетали в Перми
Электронные Компоненты г. Пермь - Радиодетали, продажа оптом и в розницу. Самый крупный поставщик электронных компонентов в Пермском крае. Специализированный отдел в магазине Товары Прикамья.  Интернет магазин
 
Радиодетали и электронные компоненты
Поиск

Блог / Новости RSS 2.0

Кремниево-германиевый чип устанавливает новый рекорд скорости

Сотрудничество исследовательских учреждений МГП инноваций для высокопроизводительной электроники из Германии и Georgia Institute of Technology, позволило создать самое быстрое в мире устройство на основе кремния. Был создан кремниево-германиевый (SiGe) транзистор на 798 гигагерц (ГГц) fMax, который превысил прежнее достижение, равное 200 ГГц.

Хотя эти рабочие скорости были достигнуты в условиях экстремально низких температур, исследования доказывают, что рекорд скорости, возможно, воспроизвести и при комнатной температуре. Транзисторы, изготовленные по новой технологии, позволяют передавать данные с использованием проводной и беспроводной связи на большой скорости, а также производить обработку сигналов, изображений, вести зондирование и радиолокацию объектов. Проведенные эксперименты позволяют утверждать, что в ближайшее время будет преодолен терагерцовый барьер.

Работа кремниево-германиевого чипа в условиях отрицательных температур, также может быть использована при работе в космическом пространстве.

Научно-исследовательский центр, финансируемый правительством Германии, разработал и изготовил устройство гетеро-биполярный транзистор (НВТ), скомпонованный из наноразмерных SiGe кристаллов, встроенных в кремниевый транзистор. При проведении исследовательских испытаний при рекордно низких температурах, были получены результаты, подтверждающие возможность увеличения скорости и при комнатной температуре. Это могло бы помочь в создании приложений на основе Si- технологий в тех областях, в которых полупроводниковые технологии, являются на сегодняшний день доминирующими.

Кремний, элемент, используемый в производстве самых современных микрочипов, не является конкурентоспособным по сравнению с другими элементами, когда дело доходит до очень высоких уровней производительности. Для повышения рабочих характеристик элемента необходимы узкоспециализированные и дорогостоящие элементы, такие как фосфид индия, арсенид галлия и нитрид галлия.

Но кремниево-германиевый сплав вносит существенные изменения, значительно улучшает характеристики и расширяет область применения изделий, изготовленных по данной технологии. В SiGe-технологии, небольшое количество германия вводят в кремниевые пластины на уровне атомных структур в ходе стандартного производственного процесса, что значительно снижает стоимость производства.

В результате были получены транзисторы 800 ГГц, имеющие высокую эффективность работы, низкую стоимость, меньшие размеры, а также высокий уровень интеграции технологического процесса производства с использованием кремния и германия.

Полученные образцы транзисторов имеют напряжение пробоя, равное 1.7 вольта, которое является достаточным для большинства приложений. Транзисторы изготовляются с использованием 130-нанометровой технологии BICMOS, которая значительно снижает стоимость производства.

Ученые считают, что данная технология имеет большое будущее и широкие перспективы для совершенствования.


(пусто)
 
Блог / Новости