Каталог товаров
Штекеры, гнезда, разъемы
Источники питания
Расходные материалы
- Главная
- Электронные компоненты
- Полупроводники
- Микросхемы
- Отечественные микросхемы
- Микросхема 504УН1Б МЕТ
Микросхема 504УН1Б МЕТ
- Обзор
- Отзывы0
Описание:
Микросхема изготовлена на основе полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом.
Микросхемы 504УН1Б представляют собой малошумящий усилитель низкой частоты с высоким входным сопротивлением, выполненный на полевых транзисторах с p-n переходом и р-каналом, предназначенных для создания селективных усилителей, генераторов синусоидальных и релаксационных колебаний низкой частоты, усилителей сигналов от высокоомных датчиков (пьезо, фотоэлектрических, емкостных, детекторов излучения).Содержат 5 интегральных элементов. Корпус типа 301.8-2, масса не более 1,5 г.