Тестер радиокомпонентов "Малыш-1"

биполярных транзисторов (N-P-N и P-N-P)

полевых транзисторов (N- и P-канальных MOSFET и JFET)

диодов и диодных сборок

тиристоров

симисторов

IGBT-тра

коэффициента усиления (h21э) , падение напряжения на переходе база-эмиттер, обратный ток утечки К-Э биполярных транзисторов.

напряжения открывания, емкости затвора , сопротивления открытого канала, наличие защитного диода С-И (и прямое падение напряжения на нем)полевых транзисторов.

сопротивления до 2-х резисторов одновременно (удобно при проверке переменных/подстроечных резисторов) в пределах от 0.1 Ом до 50 МОм

емкости конденсаторов в пределах от 10 пФ до 100 000 мкФ

падения напряжения (прямое включение), емкости (обратное включение) и тока утечки диодов

индуктивности в пределах от 0.01 мГн до 20 Гн

напряжения стабилизации стабилитронов (до 36В)

сопротивления : 0.1…10 Ом – не более 5%,10 ом…10 МОм – не более 2%,10 Мом…50 МОм – не более 5%

емкости : 10 пФ…100 пФ не более 5%,100 пФ…100 мкФ – не более 2%,100 мкФ…100000 мкФ – не более 7%

10 мкГн…100 мкГн – не более 10%,100 мкГн…100 мГн – не более 5%,100 мГн… 20 Гн – не более 15%

0 в выключенном состоянии

13…25 мА в режиме измерения (зависит от проверяемого компонента)