Каталог товаров
Штекеры, гнезда, разъемы
Источники питания
Расходные материалы
- Главная
- Электронные компоненты
- Полупроводники
- Тиристоры,транзисторы
- Импортные транзисторы, тиристоры
- IGBT
- Транзистор HGTG30N60C3D TO247
Транзистор HGTG30N60C3D TO247
- Обзор
- Отзывы0
ТРАНЗИСТОР HGTG30N60C3D:Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 208W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.8V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 63A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания: 40 Корпус: TO247