Ваш город ?
Написать в
Telegram
Каталог

Транзистор IHW20N135R5* (H20PR5) TO247

К сравнению
В избранное
Артикул:110436
Транзистор IHW20N135R5* (H20PR5) TO247
Высоковольтный ключ для эффективного управления мощной нагрузкой, сочетающий низкие потери при переключении и высокую надежность. Идеально подходит для построения энергосберегающих и компактных силовых схем.
Осталось 3 шт.
Начислим +27.45 бонусов

Начисленными бонусами можно оплатить до 50% стоимости следующих покупок

549 руб.
11
Доставка по России
On-line оплата
Система скидок
Возврат товара
Всегда на связи
Описание
Отзывы

Транзистор IHW20N135R5 (H20PR5) в корпусе TO247 — это мощный и современный силовой ключ, созданный для эффективного управления высокими напряжениями и токами. Он построен на передовой технологии Superjunction, что обеспечивает исключительно низкие потери при переключении. Этот компонент идеально подходит для построения высокочастотных импульсных источников питания, систем промышленного привода и коррекции коэффициента мощности (PFC). Его высокая надежность и производительность делают его отличным выбором для требовательных применений.

Преимущества данного транзистора:

  • Высокий КПД благодаря минимальному сопротивлению в открытом состоянии.
  • Отличная устойчивость к импульсным перенапряжениям и перегрузкам.
  • Быстрое время переключения, позволяющее работать на повышенных частотах.
  • Низкая собственная емкость для снижения динамических потерь.
  • Прочный и удобный для монтажа корпус TO247, обеспечивающий эффективный отвод тепла.

Ключевые технические характеристики:

  • Структура: MOSFET
  • Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 1350 В
  • Максимальный непрерывный ток (Id): 20 А
  • Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (Rds(on)): 0.195 Ом
  • Тип корпуса: TO-247
  • Производитель: Infineon

Для сохранения заводских качеств компонент необходимо хранить в условиях нормальной влажности, защищенным от статического электричества и механических повреждений. При пайке следует строго соблюдать рекомендованный производителем температурный профиль, чтобы не повредить кристалл и внутренние соединения.

Работа с мощными MOSFET требует соблюдения правил электробезопасности. Все монтажные и наладочные работы должны проводиться на обесточенной схеме. Для предотвращения пробоя от статического электричества используйте заземленные браслеты и антистатические поверхности. Обеспечьте качественный теплоотвод, используя термопасту и радиатор подходящего размера.

Мы предлагаем не только качественные компоненты, такие как транзистор IHW20N135R5, но и полный комплекс услуг: технические консультации, быструю доставку и удобные способы оплаты. Убедитесь в надежности нашего сервиса — оформите заказ прямо сейчас и получите ваш товар в кратчайшие сроки.

Отзывов ещё нет — ваш может стать первым.
Все отзывы 0
общий рейтинг

Техническая документация

Top.Mail.Ru