Ваш город ?
Написать в
WhatsApp
Написать в
Telegram
Каталог

Транзистор IRFR3410 DPAK

К сравнению
В избранное
Артикул:110232
Транзистор IRFR3410 DPAK
Мощный и надёжный N-канальный MOSFET с низким сопротивлением открытого канала, идеально подходящий для эффективного управления высокими нагрузками в импульсных источниках питания и системах управления двигателями.
В наличии 15 шт.
Начислим +4.9 бонусов

Начисленными бонусами можно оплатить до 50% стоимости следующих покупок

98 руб.
11
Доставка по России
On-line оплата
Система скидок
Возврат товара
Всегда на связи
Описание
Отзывы

Транзистор IRFR3410 DPAK — это мощный полупроводниковый прибор, предназначенный для эффективного управления нагрузкой в различных электронных схемах. Данная модель выполнена в прочном корпусе DPAK (TO-252), что обеспечивает отличный отвод тепла во время работы. Он идеально подходит для использования в импульсных источниках питания, системах управления двигателями и других силовых приложениях. Благодаря своей конструкции, этот MOSFET-транзистор демонстрирует высокую надежность и стабильность параметров.

Преимущества выбора этой модели:

  • Низкое сопротивление в открытом состоянии, что минимизирует потери мощности и нагрев.
  • Высокая скорость переключения, позволяющая создавать энергоэффективные устройства.
  • Прочный корпус, обеспечивающий механическую защиту и простоту монтажа на плату.
  • Широкая область применения, от бытовой техники до промышленного оборудования.

Основные технические характеристики:

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 100 В
  • Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): 0,045 Ом
  • Максимальный непрерывный ток стока (Id): 35 А
  • Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): 2-4 В
  • Корпус: DPAK (TO-252)

Для сохранения рабочих качеств полевого транзистора важно соблюдать условия хранения и эксплуатации. Храните компонент в антистатической упаковке в сухом месте при комнатной температуре. Избегайте воздействия статического электричества и влаги. При пайке соблюдайте рекомендованный температурный профиль, чтобы не повредить кристалл и корпус.

Работа с мощными MOSFET-транзисторами требует соблюдения мер безопасности. Перед монтажом обязательно обесточьте схему. Используйте антистатические браслеты и упаковку для предотвращения пробоя затвора. Не превышайте максимально допустимые значения напряжения и тока, указанные в спецификации, чтобы избежать выхода компонента из строя.

Мы предлагаем полный комплекс услуг, включая оперативную доставку, удобные способы оплаты и квалифицированную техническую поддержку. Убедитесь в надежности и качестве компонента IRFR3410 лично — оформите заказ прямо сейчас и получите его в кратчайшие сроки.

Отзывов ещё нет — ваш может стать первым.
Все отзывы 0
общий рейтинг

Техническая документация

Top.Mail.Ru