Ваш город ?
Написать в
Telegram
Каталог

Транзистор IXTP56N15 TO220

К сравнению
В избранное
Артикул:100784
Транзистор IXTP56N15 TO220
Мощный и надежный N-канальный MOSFET, обеспечивающий эффективное управление высокими токами и напряжениями в силовых электронных устройствах. Корпус TO-220 гарантирует отличный теплоотвод для стабильной работы в demanding applications.
Корпус
Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси, В
Максимальная рассеиваемая мощность Рси, Вт
Нет в наличии
Начислим +6.45 бонусов

Начисленными бонусами можно оплатить до 50% стоимости следующих покупок

129 руб.
11
Доставка по России
On-line оплата
Система скидок
Возврат товара
Всегда на связи
Описание
Характеристики
Отзывы

Транзистор IXTP56N15 TO220 представляет собой мощный N-канальный MOSFET, созданный для эффективного управления высокими токами и напряжениями. Этот компонент идеально подходит для построения силовых преобразователей, импульсных источников питания и систем управления двигателями. Его конструкция в прочном корпусе TO-220 обеспечивает отличный отвод тепла, что критически важно для стабильной работы под серьезной нагрузкой. Благодаря своим характеристикам, данный транзистор является надежным решением для профессиональной и промышленной электроники.

Преимущества выбора этой модели:

  • Исключительно низкое сопротивление открытого канала, что минимизирует потери мощности и нагрев.
  • Высокая скорость переключения, позволяющая создавать энергоэффективные и компактные устройства.
  • Расширенный промышленный температурный диапазон для работы в жестких условиях.
  • Проверенная надежность и долговечность, обеспечивающие стабильность всей электронной системы.

Технические характеристики компонента:

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 150 В
  • Максимальный непрерывный ток стока (Id): 56 А
  • Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds(on)): 0.028 Ом
  • Корпус: TO-220
  • Тип управления: логический уровень

Для сохранения всех заводских параметров храните компонент в антистатической упаковке, избегая воздействия статического электричества и повышенной влажности. Монтаж должен производиться на радиатор для обеспечения эффективного теплоотвода в соответствии с расчетной мощностью рассеяния. Соблюдение рекомендованного температурного режима пайки гарантирует сохранность внутренней структуры кристалла.

При работе с компонентом соблюдайте стандартные меры электробезопасности. Перед пайкой убедитесь в отсутствии статического заряда на оборудовании и используйте заземленный паяльник. Избегайте превышения абсолютных максимальных значений, указанных в даташите, так как это может привести к необратимому повреждению прибора и выходу из строя всего устройства.

Мы предлагаем полный комплекс услуг, включая оперативные консультации, быструю доставку и удобные способы оплаты. Все компоненты поставляются напрямую от проверенных производителей. Чтобы приобрести оригинальный IXTP56N15 и получить его в кратчайшие сроки, оформите заказ прямо сейчас на нашем сайте.

Характеристики
Корпус
Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси, В
Максимальная рассеиваемая мощность Рси, Вт
Максимальный ток сток-исток при Iси, А
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
Отзывов ещё нет — ваш может стать первым.
Все отзывы 0
общий рейтинг

Техническая документация

Top.Mail.Ru