WMO11N80M3 — это мощный MOSFET-транзистор в корпусе DPAK, разработанный для эффективного управления высокими напряжениями и токами. Его ключевая задача — работать в качестве быстрого и надежного электронного ключа в импульсных источниках питания, силовых инверторах и схемах управления двигателями. Благодаря современной технологии производства, компонент демонстрирует низкое сопротивление в открытом состоянии, что напрямую влияет на снижение энергопотерь и нагрев устройства. Этот транзистор станет отличным выбором для проектов, где важны энергоэффективность и стабильность.
Преимущества данного силового транзистора:
- Высокое значение напряжения сток-исток, обеспечивающее надежную работу в сетях 220В.
- Низкое сопротивление канала в открытом состоянии для минимальных потерь и высокого КПД системы.
- Быстрая скорость переключения, что критично для высокочастотных импульсных преобразователей.
- Прочный и технологичный корпус DPAK, удобный для монтажа и эффективно отводящий тепло.
- Высокая устойчивость к перегрузкам по току и температуре, повышающая общую надежность устройства.
Технические характеристики:
- Тип: N-Channel MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 800 В
- Максимальный непрерывный ток стока (Id): 11 А
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): 0.55 Ом
- Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): 4 В
- Тип корпуса: TO-252 (DPAK)
Для обеспечения длительного срока службы компонента важно соблюдать условия его эксплуатации и хранения. Рекомендуется избегать воздействия статического электричества, для чего все манипуляции следует проводить на заземленном антистатическом рабочем месте. Хранить изделие необходимо в оригинальной антистатической упаковке или экранирующем контейнере в условиях нормальной влажности и комнатной температуры, исключив контакт с агрессивными средами.
Безопасная работа с транзистором предполагает строгое соблюдение максимально допустимых режимов, указанных в технической документации. Никогда не превышайте предельные значения напряжения и тока. Обязательно используйте радиатор для эффективного теплоотвода, если компонент работает под значительной нагрузкой. Монтаж и пайку необходимо проводить с учетом температурных ограничений корпуса, чтобы не повредить кристалл полупроводника.
Мы предлагаем полный комплекс услуг — от квалифицированной технической консультации по подбору компонентов до быстрой и надежной доставки. Для вашего удобства доступны различные способы оплаты. Убедитесь в качестве и преимуществах транзистора WMO11N80M3 лично — оформите заказ прямо сейчас на нашем сайте.
