Ваш город ?
Написать в
WhatsApp
Написать в
Telegram
Каталог

Транзистор 2SK1016 TO247

К сравнению
В избранное
Артикул:42068
Транзистор 2SK1016 TO247
Предназначен для построения высокоэффективных и надежных силовых ключей в импульсных источниках питания и мощных усилительных каскадах. Обладает низким остаточным напряжением и высокой скоростью переключения.
Корпус
Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси, В
Максимальная рассеиваемая мощность Рси, Вт
Осталось 4 шт.
Начислим +14.9 бонусов

Начисленными бонусами можно оплатить до 50% стоимости следующих покупок

298 руб.
11
Доставка по России
On-line оплата
Система скидок
Возврат товара
Всегда на связи
Описание
Характеристики
Отзывы

Транзистор 2SK1016 TO247 представляет собой мощный N-канальный полевой MOSFET-транзистор, созданный для эффективного управления высокими токами и напряжениями. Этот компонент идеально подходит для построения силовых блоков в инверторах, импульсных источниках питания и мощных системах управления двигателями. Его конструкция обеспечивает высокую скорость переключения и минимальные потери энергии, что критически важно для современных энергоэффективных устройств. Благодаря своей надежности и производительности, данный полупроводниковый прибор нашел широкое применение в промышленной и силовой электронике.

Ключевые преимущества этого силового транзистора:

  • Исключительно низкое сопротивление в открытом состоянии для минимизации тепловых потерь.
  • Высокая скорость коммутации, позволяющая работать на повышенных частотах.
  • Надежный корпус TO247, обеспечивающий эффективный отвод тепла на радиатор.
  • Широкий диапазон рабочих температур для стабильной работы в тяжелых условиях.
  • Высокая стойкость к перегрузкам по току и напряжению.

Основные технические характеристики:

  • Тип транзистора: N-Channel MOSFET
  • Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 500 V
  • Максимальный непрерывный ток стока (Id): 9 A
  • Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): 0.38 Ohm
  • Корпус: TO-247
  • Мощность рассеяния (Pd): 130 W
  • Температура перехода: от -55 до +150 °C

Для сохранения всех заявленных параметров важно соблюдать условия эксплуатации и хранения. Изделие следует оберегать от воздействия статического электричества (ESD), используя антистатические меры предосторожности. Хранить компонент необходимо в оригинальной антистатической упаковке в условиях нормальной влажности и комнатной температуры. Не допускается подача на компонент напряжений и токов, превышающих абсолютные максимальные режимы, указанные в спецификации.

Безопасная работа с данным силовым компонентом требует обязательного использования теплоотвода (радиатора) при мощности рассеяния выше допустимой для корпуса. Монтаж и пайку необходимо проводить в соответствии с рекомендованными производителем температурными профилями, чтобы не повредить кристалл и внутренние соединения. Всегда отключайте цепь от источника питания перед любыми манипуляциями с компонентом. Избегайте короткого замыкания выводов.

Мы предлагаем полный комплекс услуг, гарантию качества на всю продукцию, быструю доставку по всей стране и удобные способы оплаты. Наш MOSFET-транзистор 2SK1016 всегда в наличии и готов к отгрузке. Оформите заказ прямо сейчас, чтобы получить надежный компонент для вашего следующего проекта.

Характеристики
Корпус
Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси, В
Максимальная рассеиваемая мощность Рси, Вт
Максимальный ток сток-исток при Iси, А
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
Отзывов ещё нет — ваш может стать первым.
Все отзывы 0
общий рейтинг

Техническая документация