Ваш город ?
Написать в
WhatsApp
Написать в
Telegram
Каталог

Транзистор 2SK1060 DPAK

К сравнению
В избранное
Артикул:7053
Транзистор 2SK1060 DPAK
Мощный N-канальный MOSFET с низким сопротивлением открытого канала, идеально подходит для построения высокоэффективных импульсных источников питания и систем управления мощной нагрузкой.
Корпус
Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси, В
Максимальная рассеиваемая мощность Рси, Вт
Осталась 1 шт.
Начислим +4.9 бонусов

Начисленными бонусами можно оплатить до 50% стоимости следующих покупок

98 руб.
11
Доставка по России
On-line оплата
Система скидок
Возврат товара
Всегда на связи
Описание
Характеристики
Отзывы

Транзистор 2SK1060 в корпусе DPAK — это мощный полевой транзистор, предназначенный для эффективного управления высокими токами в различных электронных схемах. Его ключевая задача — работать в качестве быстрого и надежного электронного ключа или усилителя сигналов в импульсных блоках питания, системах управления двигателями и силовой преобразовательной технике. Благодаря N-канальной структуре и низкому сопротивлению в открытом состоянии, он обеспечивает минимальные потери мощности и высокий КПД конечного устройства. Этот компонент является идеальным выбором для проектирования компактных и энергоэффективных решений.

Преимущества данного компонента:

  • Высокая энергоэффективность за счет низкого сопротивления канала RDS(on).
  • Корпус DPAK обеспечивает отличный отвод тепла и удобство монтажа на плату.
  • Способность работать с большими токами и напряжениями, что подходит для мощных нагрузок.
  • Высокая скорость переключения, что критично для импульсных схем.
  • Надежность и длительный срок службы при работе в тяжелых условиях.

Основные технические характеристики:

  • Тип: MOSFET, N-канальный
  • Сток-исток максимальное напряжение: 60 В
  • Максимальный постоянный ток стока: 12 А
  • Сопротивление в открытом состоянии: 0.035 Ом
  • Пороговое напряжение затвора: от 2.0 до 4.0 В
  • Тип корпуса: TO-252 (DPAK)

Для сохранения заводских качеств рекомендуется соблюдать условия хранения: в сухом помещении при комнатной температуре и нормальной влажности. Избегайте попадания прямых солнечных лучей и воздействия статического электричества. Монтаж должен проводиться с использованием профессионального оборудования, обеспечивающего защиту от ESD.

При работе с компонентом соблюдайте стандартные меры безопасности для MOSFET-транзисторов. Все паяльные работы должны проводиться при отключенном питании. Не превышайте максимальные рабочие значения, указанные в datasheet, особенно напряжение «сток-исток» и ток стока. Для предотвращения пробоя от статики используйте заземленный браслет и антистатические коврики.

Мы предлагаем полный комплекс услуг — от профессиональной консультации по подбору компонентов до быстрой и надежной доставки. У нас вы можете удобно и безопасно оплатить заказ любым способом. Убедитесь в качестве и оригинальности транзистора 2SK1060 лично — добавьте его в корзину и оформите покупку прямо сейчас.

Характеристики
Корпус
Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси, В
Максимальная рассеиваемая мощность Рси, Вт
Максимальный ток сток-исток при Iси, А
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
Отзывов ещё нет — ваш может стать первым.
Все отзывы 0
общий рейтинг

Техническая документация

Top.Mail.Ru