Ваш город ?
Написать в
WhatsApp
Написать в
Telegram
Каталог

Транзистор EMB20N03V SMD

К сравнению
В избранное
Артикул:90849
Мощный и компактный N-канальный MOSFET для эффективного управления нагрузками в современных электронных устройствах, обеспечивающий стабильную работу при низком напряжении затвора.
Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси, В
Максимальная рассеиваемая мощность Рси, Вт
Максимальный ток сток-исток при Iси, А
Осталось 2 шт.
Начислим +4.9 бонусов

Начисленными бонусами можно оплатить до 50% стоимости следующих покупок

98 руб.
11
Доставка по России
On-line оплата
Система скидок
Возврат товара
Всегда на связи
Описание
Характеристики
Отзывы

Транзистор EMB20N03V SMD — это современный MOSFET-компонент, предназначенный для эффективного управления мощностью в различных электронных схемах. Благодаря технологии N-канала и низкому сопротивлению в открытом состоянии, он идеально подходит для задач коммутации и усиления сигналов. Его компактный SMD-корпус позволяет рационально использовать пространство на печатной плате, что особенно востребовано в портативной технике и устройствах с высокой плотностью монтажа. Этот полупроводниковый прибор нашел широкое применение в источниках питания, системах управления двигателями и импульсных преобразователях.

Преимущества данного транзистора:

  • Высокая эффективность и минимальные потери мощности благодаря низкому сопротивлению.
  • Отличная способность к быстрому переключению, что критично для высокочастотных схем.
  • Компактный корпус для поверхностного монтажа, экономящий место на плате.
  • Высокая надежность и стабильность параметров в широком диапазоне рабочих условий.

Основные технические характеристики:

  • Тип: MOSFET, N-канал.
  • Сток-исток максимальное напряжение: 30 В.
  • Максимальный ток стока: 20 А.
  • Сопротивление сток-исток в открытом состоянии: 8.5 мОм.
  • Пороговое напряжение затвора: 2.5 В.
  • Корпус: TO-263 (D2PAK).

Для сохранения первоначальных свойств компонента важно соблюдать условия его хранения и эксплуатации. Рекомендуется хранить и паять устройство в условиях, исключающих воздействие статического электриства, повышенной влажности и агрессивных сред. Монтаж следует проводить, соблюдая температурный профиль, рекомендованный для бессвинцовых или свинцовосодержащих процессов пайки.

При работе с компонентом необходимо строго соблюдать правила электростатической безопасности (ESD-защита). Все манипуляции, включая монтаж и тестирование, должны проводиться на заземленном рабочем месте с использованием антистатического браслета и оборудования. Не допускается превышение максимально допустимых значений напряжения и тока, указанных в технической документации, во избежание выхода прибора из строя.

Мы предлагаем полный комплекс услуг, включая оперативные консультации по подбору радиодеталей, быструю доставку по всей стране и удобные способы оплаты. Убедитесь в качестве компонента EMB20N03V лично — оформите заказ прямо сейчас и получите его в кратчайшие сроки.

Характеристики
Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси, В
Максимальная рассеиваемая мощность Рси, Вт
Максимальный ток сток-исток при Iси, А
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
Отзывов ещё нет — ваш может стать первым.
Все отзывы 0
общий рейтинг

Техническая документация

Top.Mail.Ru