Ваш город ?
Написать в
WhatsApp
Написать в
Telegram
Каталог

Транзистор IPD60R520C6 (6R520C6) DPAK

К сравнению
В избранное
Артикул:67827
Транзистор IPD60R520C6 (6R520C6) DPAK
Мощный и эффективный силовой ключ для построения компактных и надежных импульсных источников питания. Обладает рекордно низким сопротивлением открытого канала, обеспечивая превосходное энергосбережение и минимальный нагрев.
Корпус
Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси, В
Максимальная рассеиваемая мощность Рси, Вт
Осталась 1 шт.
Начислим +21.45 бонусов

Начисленными бонусами можно оплатить до 50% стоимости следующих покупок

429 руб.
11
Доставка по России
On-line оплата
Система скидок
Возврат товара
Всегда на связи
Описание
Характеристики
Отзывы

Транзистор IPD60R520C6 (6R520CC6) представляет собой современный силовой MOSFET, выполненный по передовой технологии. Этот компонент создан для эффективного управления мощностью в импульсных источниках питания и преобразователях. Он демонстрирует превосходные показатели по снижению динамических потерь и оптимизирован для работы в жестких условиях. Его применение позволяет значительно повысить общую энергоэффективность и надежность конечного устройства.

Преимущества данного транзистора:

  • Исключительно низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)), ведущее к минимальным потерям мощности и нагреву.
  • Высокая скорость переключения, что критично для высокочастотных преобразователей.
  • Превосходная способность к работе при повышенных температурах корпуса.
  • Высокая стойкость к лавинному пробою, обеспечивающая надежную защиту от перенапряжений.
  • Корпус DPAK (TO-252) обеспечивает удобство монтажа и эффективный отвод тепла на печатную плату.

Технические характеристики:

  • Производитель: Infineon
  • Тип: MOSFET N-канальный
  • Сток-исток максимальное напряжение (Vds): 600 В
  • Сток максимальный постоянный ток (Id): 5.7 А (при 25°C)
  • Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): 520 мОм (при Vgs=10 В)
  • Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): 3.5 В
  • Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs): ±20 В
  • Тип корпуса: DPAK (TO-252)

Особенности эксплуатации и хранения: Компонент следует оберегать от воздействия статического электричества (ESD), рекомендуется хранить и транспортировать в антистатической упаковке. Не допускается подача напряжения на затвор, превышающего максимально допустимое значение. Монтаж должен производиться на печатную плату с учетом обеспечения качественного теплоотвода. Хранить устройство необходимо в сухом помещении при комнатной температуре.

Условия безопасной работы: Перед пайкой ознакомьтесь с рекомендованным производителем температурным профилем. Избегайте перегрева корпуса выше указанных в даташите значений. При работе с компонентом соблюдайте стандартные меры предосторожности от поражения электростатическим разрядом. Не превышайте абсолютные максимальные Ratings, указанные в технической документации.

Мы предлагаем полный комплекс услуг, включая оперативные консультации по подбору компонентов, быструю доставку по всей России и удобные способы оплаты. Убедитесь в качестве и оригинальности продукции Infineon в нашем каталоге и оформляйте заказ прямо сейчас.

Характеристики
Корпус
Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси, В
Максимальная рассеиваемая мощность Рси, Вт
Максимальный ток сток-исток при Iси, А
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом
Отзывов ещё нет — ваш может стать первым.
Все отзывы 0
общий рейтинг

Техническая документация

Top.Mail.Ru